창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BSZ900N15NS3 G | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BSZ900N15NS3 G | |
PCN 기타 | Multiple Changes 09/Jul/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Infineon Technologies | |
계열 | OptiMOS™ | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 150V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 13A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 90m옴 @ 10A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 20µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 7nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 510pF @ 75V | |
전력 - 최대 | 38W | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력TDFN | |
공급 장치 패키지 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | BSZ900N15NS3 G-ND BSZ900N15NS3GATMA1 SP000677866 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BSZ900N15NS3 G | |
관련 링크 | BSZ900N, BSZ900N15NS3 G Datasheet, Infineon Technologies Distributor |
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![]() | VJ0603D2R4CLAAP | 2.4pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D2R4CLAAP.pdf | |
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![]() | 4379R-681KS | 680nH Shielded Inductor 700mA 60 mOhm Max 2-SMD | 4379R-681KS.pdf | |
![]() | CRCW0402649KFKED | RES SMD 649K OHM 1% 1/16W 0402 | CRCW0402649KFKED.pdf | |
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![]() | RG1608P-3320-W-T5 | RES SMD 332 OHM 0.05% 1/10W 0603 | RG1608P-3320-W-T5.pdf | |
![]() | CRCW12064R75FKTB | RES SMD 4.75 OHM 1% 1/4W 1206 | CRCW12064R75FKTB.pdf | |
![]() | MBA02040C6810FRP00 | RES 681 OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C6810FRP00.pdf | |
RSMF1FT2K00 | RES MO 1W 2K OHM 1% AXIAL | RSMF1FT2K00.pdf |