NXP Semiconductors BUJ100,412
- 제조업체 부품 번호
- BUJ100,412
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일
- 간단한 설명
- TRANS NPN 400V 1A TO92
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUJ100,412 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUJ100,412, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUJ100,412 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUJ100,412, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUJ100,412 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUJ100,412 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUJ100,412 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUJ100 | |
| PCN 기타 | Joint Venture Revision 07/Aug/2015 | |
| PCN 부품 상태 변경 | Part Status Conversion 22/Nov/2015 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 판매 중단 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 1A | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 400V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 1V @ 150mA, 750mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 9 @ 750mA, 5V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-226-3, TO-92-3 표준 본체(TO-226AA) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-92-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 934055572412 BUJ100 BUJ100-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUJ100,412 | |
| 관련 링크 | BUJ10, BUJ100,412 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUJ100,412 의 관련 제품
 | MAL214256682E3 | 6800µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 2500 Hrs @ 105°C | MAL214256682E3.pdf | |
 | VJ1825A360KBLAT4X | 36pF 630V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1825(4564 미터법) 0.183" L x 0.252" W(4.65mm x 6.40mm) | VJ1825A360KBLAT4X.pdf | |
| T55T336M010C0150 | 33µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 10V 1411 (3528 Metric) 150 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T55T336M010C0150.pdf | |
 | SMAJ8.5CA-M3/61 | TVS DIODE 8.5VWM 14.4VC DO-214AC | SMAJ8.5CA-M3/61.pdf | |
 | P6SMB480A-M3/5B | TVS DIODE 408VWM 658VC DO-214AA | P6SMB480A-M3/5B.pdf | |
 | 416F440X3ILR | 44MHz ±15ppm 수정 12pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F440X3ILR.pdf | |
 | CET3904E TR | TRANS NPN 60V 0.2A SOT883 | CET3904E TR.pdf | |
 | IXTY08N120P | MOSFET N-CH 1200V 8A TO-220 | IXTY08N120P.pdf | |
| 105-272JS | 2.7µH Unshielded Inductor 220mA 2 Ohm Max 2-SMD | 105-272JS.pdf | |
 | ERJ-12SF2490U | RES SMD 249 OHM 1% 3/4W 2010 | ERJ-12SF2490U.pdf | |
.jpg) | PHP00805E2132BBT1 | RES SMD 21.3K OHM 0.1% 5/8W 0805 | PHP00805E2132BBT1.pdf | |
.jpg) | TNPW2512150KBETG | RES SMD 150K OHM 0.1% 1/2W 2512 | TNPW2512150KBETG.pdf |
