NXP Semiconductors BUK662R5-30C,118

BUK662R5-30C,118
제조업체 부품 번호
BUK662R5-30C,118
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
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내부 부품 번호EIS-BUK662R5-30C,118
무연 여부 / RoHS 준수 여부납 함유 / RoHS 미준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BUK662R5-30C
PCN 설계/사양Osiris Leadframe 09/Jun/2014
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C100A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs2.8m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.8V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs114nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6960pF @ 25V
전력 - 최대204W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB
공급 장치 패키지D2PAK
표준 포장 800
다른 이름568-6999-2
934064233118
BUK662R5-30C,118-ND
BUK662R530C118
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BUK662R5-30C,118
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