NXP Semiconductors BUK7C4R5-100EJ
- 제조업체 부품 번호
- BUK7C4R5-100EJ
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 169A D2PAK-7
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK7C4R5-100EJ 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- N/A
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK7C4R5-100EJ, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK7C4R5-100EJ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7C4R5-100EJ, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK7C4R5-100EJ 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK7C4R5-100EJ 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK7C4R5-100EJ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 표준 포장 | 800 | |
| 다른 이름 | 934067495118 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 견적 필요 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | - | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-263-7, D²Pak(6리드(lead)+탭), TO-263CB | |
| 공급 장치 패키지 | D2PAK(7-Lead) | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK7C4R5-100EJ | |
| 관련 링크 | BUK7C4R, BUK7C4R5-100EJ Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK7C4R5-100EJ 의 관련 제품
 | 08055U161JAT2A | 160pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08055U161JAT2A.pdf | |
 | FCN2420E124K-B | 0.12µF Film Capacitor 250V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 2420 (6050 Metric) 0.236" L x 0.197" W (6.00mm x 5.00mm) | FCN2420E124K-B.pdf | |
 | APTM100H45STG | MOSFET 4N-CH 1000V 18A SP4 | APTM100H45STG.pdf | |
 | DLO1-24-0006 | 1 Line Common Mode Choke Through Hole 1A DCR 600 mOhm | DLO1-24-0006.pdf | |
 | AISC-1206-R33J-T | 330nH Unshielded Wirewound Inductor 590mA 700 mOhm Max Nonstandard | AISC-1206-R33J-T.pdf | |
 | P0762.474NLT | 470µH Unshielded Wirewound Inductor 200mA 4 Ohm Max Nonstandard | P0762.474NLT.pdf | |
.jpg) | AF1206JR-07100RL | RES SMD 100 OHM 5% 1/4W 1206 | AF1206JR-07100RL.pdf | |
 | SM4124FT6R65 | RES SMD 6.65 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FT6R65.pdf | |
 | RNF18FTE1K21 | RES 1.21K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTE1K21.pdf | |
 | CMF5560K400FKRE | RES 60.4K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF5560K400FKRE.pdf | |
| CMF551M8200FKEA | RES 1.82M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M8200FKEA.pdf | |
 | 20J2K2 | RES 2.2K OHM 10W 5% AXIAL | 20J2K2.pdf |
