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NXP Semiconductors BUK9E06-55B,127

BUK9E06-55B,127
제조업체 부품 번호
BUK9E06-55B,127
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
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MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
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내부 부품 번호EIS-BUK9E06-55B,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BUK9E06-55B
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)55V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C75A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs5.4m옴 @ 25A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs60nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds7565pF @ 25V
전력 - 최대258W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-262-3, 긴 리드(Lead), I²Pak, TO-262AA
공급 장치 패키지I2PAK
표준 포장 50
다른 이름568-6638
568-6638-5
568-6638-ND
934057313127
BUK9E06-55B
BUK9E06-55B,127-ND
BUK9E06-55B-ND
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BUK9E06-55B,127
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