NXP Semiconductors BUK9K29-100E,115

BUK9K29-100E,115
제조업체 부품 번호
BUK9K29-100E,115
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
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MOSFET 2N-CH 100V 30A LFPAK56D
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내부 부품 번호EIS-BUK9K29-100E,115
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BUK9K29-100E
PCN 조립/원산지TrenchMOS Silicon Process 19/Sep/2014
TrenchMOS Silicon Process Revision 17/Jan/2015
PCN 포장Leader/Trailer Update 03/Apr/2015
Lighter Reel Update 29/Aug/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan(이중)
FET 특징논리 레벨 게이트
드레인 - 소스 전압(Vdss)100V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C30A
Rds On(최대) @ Id, Vgs27m옴 @ 10A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.1V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs54nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3491pF @ 25V
전력 - 최대68W
작동 온도-55°C ~ 175°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-1205, 8-LFPAK56
공급 장치 패키지LFPAK56D
표준 포장 1,500
다른 이름568-9900-2
934066975115
BUK9K29100E115
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)BUK9K29-100E,115
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