NXP Semiconductors BUK9K5R1-30EX
- 제조업체 부품 번호
- BUK9K5R1-30EX
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 어레이
- 간단한 설명
- MOSFET 2N-CH 30V 40A 56LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK9K5R1-30EX 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 630.55999
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK9K5R1-30EX, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK9K5R1-30EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9K5R1-30EX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK9K5R1-30EX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK9K5R1-30EX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK9K5R1-30EX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUK9K5R1-30E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 어레이 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | 2 N-Chan(이중) | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 40A | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.3m옴 @ 10A, 5V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 26.7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 3065pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 68W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1205, 8-LFPAK56 | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK56D | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-12853-2 934068326115 BUK9K5R1-30EX-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK9K5R1-30EX | |
| 관련 링크 | BUK9K5, BUK9K5R1-30EX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK9K5R1-30EX 의 관련 제품
 | CGS872U150X5R | 8700µF 150V Aluminum Capacitors Radial, Can - Screw Terminals 27 mOhm @ 120Hz 2000 Hrs @ 85°C | CGS872U150X5R.pdf | |
 | SR215C104KAATR1 | 0.10µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR215C104KAATR1.pdf | |
 | SA30A-E3/54 | TVS DIODE 30VWM 48.4VC DO204AC | SA30A-E3/54.pdf | |
 | ECS-110.5-S-4 | 11.0592MHz ±30ppm 수정 시리즈 60옴 -10°C ~ 70°C 스루홀 HC49/US | ECS-110.5-S-4.pdf | |
 | SIT3809AI-2-28EE | 80MHz ~ 220MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.8V 36mA Enable/Disable | SIT3809AI-2-28EE.pdf | |
 | VS-STPS30L60CWPBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AC | VS-STPS30L60CWPBF.pdf | |
 | BUK9217-75B,118 | MOSFET N-CH 75V 64A DPAK | BUK9217-75B,118.pdf | |
-Wirewound.jpg) | LQW18CN85NJ00D | 85nH Unshielded Wirewound Inductor 1.4A 60 mOhm Max 0603 (1608 Metric) | LQW18CN85NJ00D.pdf | |
 | RCH106NP-7R8M | 7.8µH Unshielded Inductor 3.9A 24.8 mOhm Max Radial | RCH106NP-7R8M.pdf | |
 | ERJ-1GEF51R1C | RES SMD 51.1 OHM 1% 1/20W 0201 | ERJ-1GEF51R1C.pdf | |
.jpg) | RT1206BRC072K15L | RES SMD 2.15K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RT1206BRC072K15L.pdf | |
| E3Z-D62-G2SHW-CN | SENSOR PHOTOELECTRIC 1M M8 | E3Z-D62-G2SHW-CN.pdf |
