NXP Semiconductors BUK9M7R2-40EX
- 제조업체 부품 번호
- BUK9M7R2-40EX
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 40V 70A LFPAK
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BUK9M7R2-40EX 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 255.90090
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BUK9M7R2-40EX, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BUK9M7R2-40EX can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK9M7R2-40EX, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BUK9M7R2-40EX 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BUK9M7R2-40EX 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BUK9M7R2-40EX | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BUK9M7R2-40E | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | 자동차, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 40V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Tc) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 5.8m옴 @ 20A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.1V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19.7nC @ 5V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2567pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 79W | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 175°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-1210, 8-LFPAK33(5리드) | |
| 공급 장치 패키지 | LFPAK33 | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | 568-13029-2 934070079115 BUK9M7R2-40E,115 BUK9M7R2-40EX-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BUK9M7R2-40EX | |
| 관련 링크 | BUK9M7, BUK9M7R2-40EX Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BUK9M7R2-40EX 의 관련 제품
 | 678D337M050EK4J | 330µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 150 mOhm @ 20Hz 4000 Hrs @ 105°C | 678D337M050EK4J.pdf | |
 | GRM0225C1E3R4WDAEL | 3.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 01005(0402 미터법) 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | GRM0225C1E3R4WDAEL.pdf | |
| GRM0336T1E8R9DD01D | 8.9pF 25V 세라믹 커패시터 T2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336T1E8R9DD01D.pdf | |
| ECW-H12222JL | 2200pF Film Capacitor 1000V (1kV) 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.197" W (18.00mm x 5.00mm) | ECW-H12222JL.pdf | |
 | P4SMA18CA-M3/5A | TVS DIODE 15.3VWM 25.2VC DO-214A | P4SMA18CA-M3/5A.pdf | |
 | ASTMHTD-14.7456MHZ-XC-E-T3 | 14.7456MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTD-14.7456MHZ-XC-E-T3.pdf | |
 | FXO-HC730-66.666 | 66.666MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 47mA Enable/Disable | FXO-HC730-66.666.pdf | |
.jpg) | RC1005F754CS | RES SMD 750K OHM 1% 1/16W 0402 | RC1005F754CS.pdf | |
| CMF20100K00GNR6 | RES 100K OHM 1W 2% AXIAL | CMF20100K00GNR6.pdf | |
 | CMF552K6100DHR6 | RES 2.61K OHM 1/2W .5% AXIAL | CMF552K6100DHR6.pdf | |
 | CPR05680R0JE6630 | RES 680 OHM 5W 5% RADIAL | CPR05680R0JE6630.pdf | |
| PSAH0000 | NPN O.C. HALL EFFECT SENSOR | PSAH0000.pdf |
