NXP Semiconductors BYC58X-600,127

BYC58X-600,127
제조업체 부품 번호
BYC58X-600,127
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 단일
간단한 설명
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F
Datesheet 다운로드
다운로드
BYC58X-600,127 가격 및 조달

가능 수량

2475 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 913.66700
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of BYC58X-600,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BYC58X-600,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYC58X-600,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
BYC58X-600,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BYC58X-600,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BYC58X-600,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BYC58X-600
PCN 기타Joint Venture Company 09/Aug/2015
Joint Venture Revision 07/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Part Status Conversion 22/Nov/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 단일
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황판매 중단
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)600V
전류 -평균 정류(Io)8A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If3.2V @ 8A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)12.5ns
전류 - 역누설 @ Vr150µA @ 600V
정전 용량 @ Vr, F-
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-2 전체 팩(Pack), 절연 탭
공급 장치 패키지TO-220F
작동 온도 - 접합150°C(최대)
표준 포장 50
다른 이름568-5138-5
934063262127
BYC58X-600,127-ND
BYC58X600127
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)BYC58X-600,127
관련 링크BYC58X-, BYC58X-600,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
BYC58X-600,127 의 관련 제품
680µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can 12 mOhm 1000 Hrs @ 125°C RHT0J681MDN1PH.pdf
390pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 축방향 0.098" Dia x 0.150" L(2.50mm x 3.80mm) A391M15X7RH5UAA.pdf
150pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C151K1GACTU.pdf
470pF 250VAC 세라믹 커패시터 X7R 2008(5020 미터법) 0.200" L x 0.079" W(5.08mm x 2.00mm) VJ2008Y471KXUSTX1.pdf
TVS DIODE 36VWM 54.3VC DO13 1N6363.pdf
38.4MHz ±20ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) 416F38422CDR.pdf
26MHz LVCMOS VCTCXO Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA AST3TQ-V-26.000MHZ-28.pdf
12MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable ASTMHTA-12.000MHZ-ZC-E-T.pdf
MOSFET P-CH 200V 0.4A 4-DIP IRFD9210PBF.pdf
30nH Unshielded Thin Film Inductor 120mA 2.95 Ohm Max 0201 (0603 Metric) LQP03TN30NH02D.pdf
3.3µH Unshielded Inductor 285mA 1.85 Ohm Max 2-SMD 4302-332G.pdf
RES SMD 4K OHM 0.1% 0.3W 1206 Y16254K00000B9R.pdf