NXP Semiconductors BYQ28E-200/H,127

BYQ28E-200/H,127
제조업체 부품 번호
BYQ28E-200/H,127
제조업 자
제품 카테고리
다이오드, 정류기 - 어레이
간단한 설명
DIODE ARRAY GP 200V 10A TO220AB
Datesheet 다운로드
다운로드
BYQ28E-200/H,127 가격 및 조달

가능 수량

1193 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 733.90000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of BYQ28E-200/H,127, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BYQ28E-200/H,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYQ28E-200/H,127, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
BYQ28E-200/H,127 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
BYQ28E-200/H,127 매개 변수
내부 부품 번호EIS-BYQ28E-200/H,127
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서BYQ28 Series E & D
High-efficiency power diodes for SMPS
PCN 기타Joint Venture Revision 07/Aug/2015
PCN 부품 상태 변경Part Status Conversion 22/Nov/2015
종류이산 소자 반도체 제품
제품군다이오드, 정류기 - 어레이
제조업체NXP Semiconductors
계열-
포장튜브
부품 현황판매 중단
다이오드 구성공통 음극 1쌍
다이오드 유형표준
전압 - DC 역방향(Vr)(최대)200V
전류 - 평균 정류(Io)(다이오드당)10A
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If1.25V @ 10A
속도고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io)
역회복 시간(trr)25ns
전류 - 역누설 @ Vr10µA @ 200V
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 50
다른 이름568-8341-5
934062725127
BYQ28E-200/H,127-ND
BYQ28E200H127
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)BYQ28E-200/H,127
관련 링크BYQ28E-2, BYQ28E-200/H,127 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor
BYQ28E-200/H,127 의 관련 제품
8.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) 08052U8R2CAT2A.pdf
1000pF 25V 세라믹 커패시터 X7R 0508(1220 미터법) 0.050" L x 0.079" W(1.27mm x 2.00mm) 05083C102MAT2A.pdf
OSC XO 3.3V 54.48MHZ OE 0.50% SIT9001AC-33-33E2-54.48000Y.pdf
110MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 55mA Enable/Disable FNB000003.pdf
1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V 4.5mA Enable/Disable SIT8008AIB3-XXE.pdf
DIODE ZENER 3V 300MW SOT23-3 BZX84C3V0-G3-18.pdf
MOSFET N-CH 60V 45A DPAK FDD20AN06A0_F085.pdf
10nH Unshielded Wirewound Inductor 1.3A 80 mOhm Max 1008 (2520 Metric) AISC-1008HQ-10NJ-T.pdf
RES ARRAY 7 RES 22 OHM 8SIP 4308R-101-220LF.pdf
RES 332 OHM 1/2W 0.1% AXIAL H4332RBCA.pdf
RF IC VCO ISM 947MHz ~ 998MHz On-Chip 50 Ohm Output Match 8-uMAX MAX2624EUA+.pdf
DP11 VER 15P 30DET 30F M7*7MM DP11V3015B30F.pdf