ON Semiconductor BYW29-200G
- 제조업체 부품 번호
- BYW29-200G
- 제조업 자
- ON Semiconductor
- 제품 카테고리
- 다이오드, 정류기 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BYW29-200G 가격 및 조달
가능 수량
2513 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 431.93800
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BYW29-200G, we specialize in all series ON Semiconductor electronic components. BYW29-200G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYW29-200G, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BYW29-200G 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BYW29-200G 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BYW29-200G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BYW29-200 | |
| 카탈로그 페이지 | 1561 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | SWITCHMODE™ | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 표준 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 200V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 8A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.3V @ 20A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | 35ns | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 200V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-2 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220-2 | |
| 작동 온도 - 접합 | -65°C ~ 175°C | |
| 표준 포장 | 50 | |
| 다른 이름 | BYW29-200G-ND BYW29-200GOS BYW29200G | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BYW29-200G | |
| 관련 링크 | BYW29, BYW29-200G Datasheet, ON Semiconductor Distributor | |
BYW29-200G 의 관련 제품
 | 53D223G016JP7 | 22000µF 16V Aluminum Capacitors Axial, Can 1000 Hrs @ 85°C | 53D223G016JP7.pdf | |
.jpg) | GCM1885C1H6R3DA16D | 6.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GCM1885C1H6R3DA16D.pdf | |
 | T496D226K025ATE800 | 22µF Molded Tantalum Capacitors 25V 2917 (7343 Metric) 800 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T496D226K025ATE800.pdf | |
 | SIT1602BCF11-18E-26.000000G | 26MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V 4.1mA Enable/Disable | SIT1602BCF11-18E-26.000000G.pdf | |
 | ES2J-LTP | DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC | ES2J-LTP.pdf | |
| VS-80PF80 | DIODE STD REC 80A DO-5 | VS-80PF80.pdf | |
 | VS-41HF60 | DIODE GEN PURP 600V 40A DO203AB | VS-41HF60.pdf | |
 | IMC1812EB5R6K | 5.6µH Unshielded Wirewound Inductor 300mA 1.1 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB5R6K.pdf | |
 | MCR100JZHJ682 | RES SMD 6.8K OHM 5% 1W 2512 | MCR100JZHJ682.pdf | |
-TNP-SERIES.jpg) | TNPW0805680RBETA | RES SMD 680 OHM 0.1% 1/8W 0805 | TNPW0805680RBETA.pdf | |
 | CMF601K3000FHEK | RES 1.3K OHM 1W 1% AXIAL | CMF601K3000FHEK.pdf | |
| IMB33653M12 | Inductive Proximity Sensor 0.118" (3mm) | IMB33653M12.pdf |
