창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZD27C110P-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZD27 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 110V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 800mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 250옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 82V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-219AB | |
공급 장치 패키지 | DO-219AB(SMF) | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZD27C110P-HE3-08 | |
관련 링크 | BZD27C11, BZD27C110P-HE3-08 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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E-TA2012 T 3DB N8 | RF Attenuator 3dB ±0.5dB 0 ~ 3GHz 50 Ohm 63mW 0805 (2012 Metric) | E-TA2012 T 3DB N8.pdf |