창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZG05C4V7-HE3-TR3 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZG05C Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 13옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1.2V @ 200mA | |
작동 온도 | 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
공급 장치 패키지 | DO-214AC | |
표준 포장 | 6,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZG05C4V7-HE3-TR3 | |
관련 링크 | BZG05C4V, BZG05C4V7-HE3-TR3 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F38423CKT | 38.4MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38423CKT.pdf | |
![]() | CD214C-R3100 | DIODE GEN PURP 100V 3A SMC | CD214C-R3100.pdf | |
![]() | FDN358P | MOSFET P-CH 30V 1.5A SSOT3 | FDN358P.pdf | |
![]() | SI5441BDC-T1-E3 | MOSFET P-CH 20V 4.4A 1206-8 | SI5441BDC-T1-E3.pdf | |
![]() | L225J50K | RES CHAS MNT 50K OHM 5% 225W | L225J50K.pdf | |
![]() | CR1206-FX-4873ELF | RES SMD 487K OHM 1% 1/4W 1206 | CR1206-FX-4873ELF.pdf | |
![]() | RCP0603W39R0GET | RES SMD 39 OHM 2% 3.9W 0603 | RCP0603W39R0GET.pdf | |
![]() | TNPW201088R7BEEF | RES SMD 88.7 OHM 0.1% 0.4W 2010 | TNPW201088R7BEEF.pdf | |
![]() | 4308M-102-182LF | RES ARRAY 4 RES 1.8K OHM 8SIP | 4308M-102-182LF.pdf | |
![]() | WNC5R0FET | RES 5 OHM 2W 1% AXIAL | WNC5R0FET.pdf |