창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C18-G3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52-G Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 18V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 410mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 18옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 14V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52C18-G3-08 | |
관련 링크 | BZT52C1, BZT52C18-G3-08 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
![]() | UVR2DR47MED1TA | 0.47µF 200V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 85°C | UVR2DR47MED1TA.pdf | |
![]() | C3225X6S1E106M250AC | 10µF 25V 세라믹 커패시터 X6S 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | C3225X6S1E106M250AC.pdf | |
![]() | VJ1206A680JBGAT4X | 68pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A680JBGAT4X.pdf | |
![]() | 12102U3R6CAT2A | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.49mm) | 12102U3R6CAT2A.pdf | |
![]() | 445A22S20M00000 | 20MHz ±20ppm 수정 시리즈 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A22S20M00000.pdf | |
![]() | SF4003-TAP | DIODE AVAL 1A 200V SOD-57 | SF4003-TAP.pdf | |
![]() | AISC-1210HS-6R8K-T2 | 6.8µH Unshielded Wirewound Inductor 480mA 1.1 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | AISC-1210HS-6R8K-T2.pdf | |
![]() | RE1206FRE0727KL | RES SMD 27K OHM 1% 1/4W 1206 | RE1206FRE0727KL.pdf | |
![]() | CRCW0805220KJNEC | RES SMD 220K OHM 5% 1/8W 0805 | CRCW0805220KJNEC.pdf | |
![]() | ERO-S2PHF1542 | RES 15.4K OHM 1/4W 1% AXIAL | ERO-S2PHF1542.pdf | |
![]() | CMF60510R00BHR6 | RES 510 OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF60510R00BHR6.pdf | |
![]() | Y070610K0000F9L | RES 10K OHM .4W 1% RADIAL | Y070610K0000F9L.pdf |