창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3LP-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52C5V1LP - BZT52C39LP | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | DFN1006-2,DFN1006-3 Part Marking Chg 27/Oct/2015 | |
PCN 기타 | Copper Bond Wire and Wafer Source 07/Nov/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1578 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 250mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-UFDFN | |
공급 장치 패키지 | 2-DFN1006(1.0x0.6) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C4V3LP7 BZT52C4V3LPDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52C4V3LP-7 | |
관련 링크 | BZT52C, BZT52C4V3LP-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | TEH100M1R00JE | RES 1 OHM 100W 5% TO247 | TEH100M1R00JE.pdf | |
![]() | HEDS-9720#L50 | ENCODER SMALL 2CH 120LPI STD | HEDS-9720#L50.pdf | |
![]() | E3Z-T81-L-M1J-1 0.3M | SENSOR PHOTOELECTRIC 15M | E3Z-T81-L-M1J-1 0.3M.pdf |