창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C4V3S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 납 함유 / RoHS 미준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52C2V0S - BZT52C39S | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 판매 중단 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.3V | |
허용 오차 | ±7% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C4V3SDITR BZT52C4V3STR BZT52C4V3STR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52C4V3S-7 | |
관련 링크 | BZT52C, BZT52C4V3S-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
7M-27.000MAHK-T | CRYSTAL 27.000MHZ 20PF SMT | 7M-27.000MAHK-T.pdf | ||
TC-70.000MDE-T | 70MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 1.8V Enable/Disable | TC-70.000MDE-T.pdf | ||
SBR2A30P1-7 | DIODE SBR 30V 2A POWERDI123 | SBR2A30P1-7.pdf | ||
BZX55B5V1-TR | DIODE ZENER 5.1V 500MW DO35 | BZX55B5V1-TR.pdf | ||
DDTB142JU-7 | TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323 | DDTB142JU-7.pdf | ||
MP6-2Q-1M-1M-00 | MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY | MP6-2Q-1M-1M-00.pdf | ||
ARJ22A4H | RF Relay DPDT (2 Form C) Surface Mount | ARJ22A4H.pdf | ||
RC1005J222CS | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/16W 0402 | RC1005J222CS.pdf | ||
CRCW121014R0FKEAHP | RES SMD 14 OHM 1% 3/4W 1210 | CRCW121014R0FKEAHP.pdf | ||
CRA04S083120RJTD | RES ARRAY 4 RES 120 OHM 0804 | CRA04S083120RJTD.pdf | ||
MRS25000C1650FC100 | RES 165 OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1650FC100.pdf | ||
P51-50-S-I-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-50-S-I-D-20MA-000-000.pdf |