창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C51S-7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52C51S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Bond Wire 16/Sept/2008 Bond Wire 11/Nov/2011 | |
PCN 기타 | Multiple Device Changes 29/Apr/2013 | |
카탈로그 페이지 | 1577 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 38V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZT52C51S7 BZT52C51SDITR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52C51S-7 | |
관련 링크 | BZT52, BZT52C51S-7 Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | SQCB7M0R9BATME | 0.90pF 500V 세라믹 커패시터 M 1111(2828 미터법) 0.110" L x 0.110" W(2.79mm x 2.79mm) | SQCB7M0R9BATME.pdf | |
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![]() | HSMS-282N-BLKG | DIODE SCHOTTKY RF QD 15V SOT-363 | HSMS-282N-BLKG.pdf | |
![]() | CDRH6D28NP-270NC | 27µH Shielded Inductor 1.05A 142 mOhm Max Nonstandard | CDRH6D28NP-270NC.pdf | |
![]() | IMC1812BN820K | 82µH Unshielded Wirewound Inductor 120mA 7 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812BN820K.pdf | |
![]() | SP1008R-332G | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 465mA 527 mOhm Max Nonstandard | SP1008R-332G.pdf | |
![]() | HCPL-2201-500E | Logic Output Optoisolator 5MBd Push-Pull, Totem Pole 3750Vrms 1 Channel 1kV/µs CMTI 8-DIP Gull Wing | HCPL-2201-500E.pdf | |
![]() | VM3JB100R | RES CERM WW 3W 100 OHM 5% VERT | VM3JB100R.pdf | |
![]() | CA51002K200JB14 | RES 2.2K OHM 5W 5% AXIAL | CA51002K200JB14.pdf | |
![]() | CPR101R100KE10 | RES 1.1 OHM 10W 10% RADIAL | CPR101R100KE10.pdf | |
![]() | BN-600035 | RF TXRX MODULE 802.15.4 CHIP ANT | BN-600035.pdf |