창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52C62-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 62V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 410mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 150옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | - | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123 | |
공급 장치 패키지 | SOD-123 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52C62-E3-18 | |
관련 링크 | BZT52C6, BZT52C62-E3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
LKG1J152MESYBK | 1500µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKG1J152MESYBK.pdf | ||
12062C222M4T2A | 2200pF 200V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12062C222M4T2A.pdf | ||
1812JA100KAT1A\SB | 10pF 4000V(4kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | 1812JA100KAT1A\SB.pdf | ||
CDS19FD102JO3 | MICA | CDS19FD102JO3.pdf | ||
TPSE687M002R0050 | 680µF Molded Tantalum Capacitors 2.5V 2917 (7343 Metric) 50 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSE687M002R0050.pdf | ||
GKG10067-07 | 3 ~ 10pF Trimmer Capacitor 100V Top Adjustment Surface Mount Rectangular - 0.177" L x 0.157" W (4.50mm x 4.00mm) | GKG10067-07.pdf | ||
DF3A6.2F(TE85L,F) | TVS DIODE 3VWM SMINI | DF3A6.2F(TE85L,F).pdf | ||
416F37412CDR | 37.4MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F37412CDR.pdf | ||
CI100505-22NJ | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 600 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | CI100505-22NJ.pdf | ||
RT0603FRE073KL | RES SMD 3K OHM 1% 1/10W 0603 | RT0603FRE073KL.pdf | ||
SFR25H0006192FR500 | RES 61.9K OHM 1/2W 1% AXIAL | SFR25H0006192FR500.pdf | ||
E3Z-D82 0.5M | SENSOR OPTO REFL 1M PREWIRED MOD | E3Z-D82 0.5M.pdf |