NXP Semiconductors BZT52H-B7V5,115
- 제조업체 부품 번호
- BZT52H-B7V5,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 7.5V 375MW SOD123F
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BZT52H-B7V5,115 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 34.69340
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BZT52H-B7V5,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BZT52H-B7V5,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZT52H-B7V5,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BZT52H-B7V5,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BZT52H-B7V5,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-B7V5,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 7.5V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-11152-2 934064791115 BZT52H-B7V5,115-ND BZT52H-B7V5115 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-B7V5,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-B7V5,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BZT52H-B7V5,115 의 관련 제품
 | B37950K5224K062 | 0.22µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | B37950K5224K062.pdf | |
| MKP385247100JC02W0 | 4700pF Film Capacitor 350V 1000V (1kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.394" L x 0.236" W (10.00mm x 6.00mm) | MKP385247100JC02W0.pdf | |
 | TPSB225M025R0900 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1210 (3528 Metric) 900 mOhm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TPSB225M025R0900.pdf | |
| FA-238V 12.0000MA20V-W0 | 12MHz ±20ppm 수정 12pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MA20V-W0.pdf | |
 | STH240N10F7-6 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 | STH240N10F7-6.pdf | |
 | NTD4909NA-35G | MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK | NTD4909NA-35G.pdf | |
.jpg) | CRCW0603412RFKEA | RES SMD 412 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW0603412RFKEA.pdf | |
 | HRG3216P-5361-B-T5 | RES SMD 5.36K OHM 0.1% 1W 1206 | HRG3216P-5361-B-T5.pdf | |
 | MP930-0.30-1% | RES 0.3 OHM 30W 1% TO220 | MP930-0.30-1%.pdf | |
-MiniPak-1412.jpg) | MGA-725M4-BLK | RF Amplifier IC CDMA, TDMA, PCS 100MHz ~ 6GHz MiniPak 1412 | MGA-725M4-BLK.pdf | |
 | HAL108TQ-I | IC HALL EFFECT SWITCH UNI SOT89 | HAL108TQ-I.pdf | |
| E32-T15X 2M | T-BEAM FIBER R25 BEND 2M CBL | E32-T15X 2M.pdf |
