창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C20,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52H Series | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 20V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 20옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 14V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-3759-2 934059409115 BZT52H-C20 T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-C20,115 | |
관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-C20,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | SMCJ5660/TR13 | TVS DIODE 105VWM 187VC DO214AB | SMCJ5660/TR13.pdf | |
![]() | GC0800053 | 8MHz ±50ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | GC0800053.pdf | |
![]() | DSB2810 | DIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO35 | DSB2810.pdf | |
![]() | AISM-1210-R56M-T | 560nH Unshielded Wirewound Inductor 450mA 550 mOhm Max 1210 (3225 Metric) | AISM-1210-R56M-T.pdf | |
![]() | 1008-223F | 22µH Unshielded Inductor 158mA 6 Ohm Max 2-SMD | 1008-223F.pdf | |
![]() | ERA-8ARB3321V | RES SMD 3.32K OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8ARB3321V.pdf | |
![]() | RCP1206B510RGEB | RES SMD 510 OHM 2% 11W 1206 | RCP1206B510RGEB.pdf | |
![]() | Y116940K0000B0L | RES SMD 40K OHM 0.1% 0.4W J LEAD | Y116940K0000B0L.pdf | |
![]() | 4116R-1-474 | RES ARRAY 8 RES 470K OHM 16DIP | 4116R-1-474.pdf |