NXP Semiconductors BZT52H-C33,115
- 제조업체 부품 번호
- BZT52H-C33,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BZT52H-C33,115 가격 및 조달
가능 수량
4150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 37.74513
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BZT52H-C33,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BZT52H-C33,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZT52H-C33,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BZT52H-C33,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BZT52H-C33,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C33,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 33V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 40옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 23.1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3766-2 934059415115 BZT52H-C33 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-C33,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-C33,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BZT52H-C33,115 의 관련 제품
 | UMV0J470MFD1TP | 47µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C | UMV0J470MFD1TP.pdf | |
 | 6.3WXA680MEFCTA8X9 | 680µF 6.3V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | 6.3WXA680MEFCTA8X9.pdf | |
-55.jpg) | C1608CH2E101J080AA | 100pF 250V 세라믹 커패시터 CH 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608CH2E101J080AA.pdf | |
-Kemet.jpg) | C1206C122KCRACTU | 1200pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | C1206C122KCRACTU.pdf | |
 | 1206GA820KAT1A | 82pF 2000V(2kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 1206GA820KAT1A.pdf | |
 | VJ1206Y152JXGAT5Z | 1500pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | VJ1206Y152JXGAT5Z.pdf | |
 | DRQ73-151-R | Shielded 2 Coil Inductor Array 603.6µH Inductance - Connected in Series 150.9µH Inductance - Connected in Parallel 851 mOhm DC Resistance (DCR) - Parallel 580mA Nonstandard | DRQ73-151-R.pdf | |
 | B82477P2682M | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 20 mOhm Max Nonstandard | B82477P2682M.pdf | |
| AA0402JR-0727RL | RES SMD 27 OHM 5% 1/16W 0402 | AA0402JR-0727RL.pdf | |
| Y162516K8750T9R | RES SMD 16.875K OHM 0.3W 1206 | Y162516K8750T9R.pdf | |
 | CMF6068K100BEBF | RES 68.1K OHM 1W 0.1% AXIAL | CMF6068K100BEBF.pdf | |
| E2A-M18LS08-WP-B2 5M | Inductive Proximity Sensor 0.315" (8mm) IP67, IP69K Cylinder, Threaded - M18 | E2A-M18LS08-WP-B2 5M.pdf |
