창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C4V7,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52H Series | |
카탈로그 페이지 | 1507 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 4.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 78옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-3776-2 934059392115 BZT52H-C4V7 T/R BZT52HC4V7115 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-C4V7,115 | |
관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-C4V7,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | FA-238V 12.0000MA-C0 | 12MHz ±20ppm 수정 18pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238V 12.0000MA-C0.pdf | |
![]() | V30150C-M3/4W | DIODE ARRAY SCHOTTKY 150V TO220 | V30150C-M3/4W.pdf | |
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![]() | RMCP2010FT120K | RES SMD 120K OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT120K.pdf | |
![]() | RT1210CRD07105KL | RES SMD 105K OHM 0.25% 1/4W 1210 | RT1210CRD07105KL.pdf | |
![]() | RT1206WRB074K12L | RES SMD 4.12KOHM 0.05% 1/4W 1206 | RT1206WRB074K12L.pdf | |
![]() | RT1210WRD07866RL | RES SMD 866 OHM 0.05% 1/4W 1210 | RT1210WRD07866RL.pdf | |
![]() | EXB-N8V131JX | RES ARRAY 4 RES 130 OHM 0804 | EXB-N8V131JX.pdf | |
![]() | ERA-V33J821V | RES TEMP SENS 820 OHM 5% 1/16W | ERA-V33J821V.pdf | |
![]() | MRS25000C1501FC100 | RES 1.5K OHM 0.6W 1% AXIAL | MRS25000C1501FC100.pdf |