창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C5V1,115 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZT52H Series | |
PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1507 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 5.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 375mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 60옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 2µA @ 2V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOD-123F | |
공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | 568-3779-2 934059393115 BZT52H-C5V1 T/R | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZT52H-C5V1,115 | |
관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-C5V1,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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VJ0805D5R6DLCAJ | 5.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D5R6DLCAJ.pdf | ||
C921U561KZYDBAWL20 | 560pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U561KZYDBAWL20.pdf | ||
416F406XXCAR | 40.61MHz ±15ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F406XXCAR.pdf | ||
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LDS0705-100M-R | 10µH Shielded Wirewound Inductor 2.54A 36 mOhm Nonstandard | LDS0705-100M-R.pdf | ||
RT1210BRD07160RL | RES SMD 160 OHM 0.1% 1/4W 1210 | RT1210BRD07160RL.pdf | ||
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RT0805DRD0726K7L | RES SMD 26.7K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD0726K7L.pdf | ||
RG1005N-1240-W-T1 | RES SMD 124 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-1240-W-T1.pdf | ||
PTS080501B500RP100 | TEMP SENSOR RTD 500 OHM 0805 | PTS080501B500RP100.pdf |