NXP Semiconductors BZT52H-C8V2,115
- 제조업체 부품 번호
- BZT52H-C8V2,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 8.2V 375MW SOD123F
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BZT52H-C8V2,115 가격 및 조달
가능 수량
7150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 37.74513
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BZT52H-C8V2,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BZT52H-C8V2,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZT52H-C8V2,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BZT52H-C8V2,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BZT52H-C8V2,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BZT52H-C8V2,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BZT52H Series | |
| 카탈로그 페이지 | 1507 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 8.2V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 375mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 700nA @ 5V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOD-123F | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-123F | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | 568-3787-2 934059398115 BZT52H-C8V2 T/R | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BZT52H-C8V2,115 | |
| 관련 링크 | BZT52H-, BZT52H-C8V2,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BZT52H-C8V2,115 의 관련 제품
 | GRM1555C1H1R3WA01D | 1.3pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM1555C1H1R3WA01D.pdf | |
 | VJ1206Y822KBBAT4X | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206Y822KBBAT4X.pdf | |
 | PD0070WJ25038BF2 | 25pF 14000V(14kV) 세라믹 커패시터 R7 디스크, 금속 피팅 - 스레딩 2.756"(70.00mm) Dia | PD0070WJ25038BF2.pdf | |
| BK/GDA-V-400MA | FUSE CERAMIC 400MA 250VAC 5X20MM | BK/GDA-V-400MA.pdf | |
| SIT8008AI-22-33E-90.000000E | OSC XO 3.3V 90MHZ OE | SIT8008AI-22-33E-90.000000E.pdf | |
| SIT8008BIF11-33E-2.048000E | OSC XO 3.3V 2.048MHZ OE | SIT8008BIF11-33E-2.048000E.pdf | |
 | VS-30CTQ045PBF | DIODE ARRAY SCHOTTKY 45V TO220AB | VS-30CTQ045PBF.pdf | |
| B82141B1222K9 | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 630mA 250 mOhm Max Radial | B82141B1222K9.pdf | |
 | ERJ-6BQFR33V | RES SMD 0.33 OHM 1% 1/3W 0805 | ERJ-6BQFR33V.pdf | |
 | MCR10EZHF7872 | RES SMD 78.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF7872.pdf | |
 | CA000122R00JS70 | RES 22 OHM 1W 5% AXIAL | CA000122R00JS70.pdf | |
 | HMC1018LP4ETR | RF Attenuator 1dB ~ 31dB 100MHz ~ 30GHz 50 Ohm 24-VFQFN Exposed Pad | HMC1018LP4ETR.pdf |
