NXP Semiconductors BZV49-C3V3,115
SOT89.jpg)
- 제조업체 부품 번호
- BZV49-C3V3,115
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 3.3V 1W SOT89
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BZV49-C3V3,115 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 188.74545
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BZV49-C3V3,115, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BZV49-C3V3,115 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZV49-C3V3,115, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BZV49-C3V3,115 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BZV49-C3V3,115 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BZV49-C3V3,115 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BZV49 Series | |
| PCN 설계/사양 | Resin Hardener 02/Jul/2013 | |
| PCN 포장 | Lighter Reels 02/Jan/2014 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
| 허용 오차 | ±5% | |
| 전력 - 최대 | 1W | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-243AA | |
| 공급 장치 패키지 | SOT-89-3 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | 568-6836-2 933605840115 BZV49-C3V3 T/R BZV49-C3V3 T/R-ND BZV49-C3V3,115-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BZV49-C3V3,115 | |
| 관련 링크 | BZV49-C, BZV49-C3V3,115 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BZV49-C3V3,115 의 관련 제품
 | VJ0402D0R1CXXAJ | 0.10pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D0R1CXXAJ.pdf | |
 | 12101J5R6BBTTR | 5.6pF Thin Film Capacitor 100V 1210 (3225 Metric) 0.119" L x 0.098" W (3.02mm x 2.50mm) | 12101J5R6BBTTR.pdf | |
 | AA-8.192MAGE-T | 8.192MHz ±30ppm 수정 12pF 150옴 -40°C ~ 85°C AEC-Q200 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | AA-8.192MAGE-T.pdf | |
 | ECS-196.6-20-5PX-TR | 19.6608MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | ECS-196.6-20-5PX-TR.pdf | |
 | 416F36035CTR | 36MHz ±30ppm 수정 6pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F36035CTR.pdf | |
 | SIT1602AI-83-25E-40.000000T | OSC XO 2.5V 40MHZ OE | SIT1602AI-83-25E-40.000000T.pdf | |
 | VLS252012CX-3R3M | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 1.53A 137 mOhm Max Nonstandard | VLS252012CX-3R3M.pdf | |
 | SCRH127/LD-121 | 120µH Shielded Inductor 1.95A 169 mOhm Max Nonstandard | SCRH127/LD-121.pdf | |
.jpg) | KTR10EZPF3092 | RES SMD 30.9K OHM 1% 1/8W 0805 | KTR10EZPF3092.pdf | |
.jpg) | RC0805DR-07210RL | RES SMD 210 OHM 0.5% 1/8W 0805 | RC0805DR-07210RL.pdf | |
 | EXB-E10C102J | RES ARRAY 8 RES 1K OHM 1608 | EXB-E10C102J.pdf | |
 | AX5043-1-TW30 | IC RF TxRx Only General ISM < 1GHz 27MHz ~ 1.05GHz 28-VFQFN Exposed Pad | AX5043-1-TW30.pdf |
