창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV55-C2V7,135 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZV55 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 2.7V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 500mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 100옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 20µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 | |
공급 장치 패키지 | SOD-80C | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 933699380135 BZV55-C2V7 /T3 BZV55-C2V7 /T3-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZV55-C2V7,135 | |
관련 링크 | BZV55-C, BZV55-C2V7,135 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
![]() | 250R05L1R0BV4T | 1pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | 250R05L1R0BV4T.pdf | |
![]() | C901U150JYSDAAWL20 | 15pF 400VAC 세라믹 커패시터 SL 방사형, 디스크 0.276" Dia(7.00mm) | C901U150JYSDAAWL20.pdf | |
![]() | 1808CC223JATME | 0.022µF 630V 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.180" L x 0.080" W(4.57mm x 2.03mm) | 1808CC223JATME.pdf | |
![]() | CDS19FD471JO3F | MICA | CDS19FD471JO3F.pdf | |
![]() | 1.5KA10HE3/73 | TVS DIODE 8.1VWM 15VC 1.5KA | 1.5KA10HE3/73.pdf | |
![]() | A5KP150CA-G | TVS DIODE 150VWM 243VC R-6 | A5KP150CA-G.pdf | |
![]() | NDS356AP | MOSFET P-CH 30V 1.1A SSOT3 | NDS356AP.pdf | |
![]() | PT2512FK-7W0R3L | RES SMD 0.3 OHM 1% 2W 2512 | PT2512FK-7W0R3L.pdf | |
![]() | YC324-FK-0722RL | RES ARRAY 4 RES 22 OHM 2012 | YC324-FK-0722RL.pdf | |
![]() | TUW3JR10E | RES 0.1 OHM 3W 5% AXIAL | TUW3JR10E.pdf | |
![]() | MS4800S-14-0720-10X-10R | SAFETY LIGHT CURTAIN | MS4800S-14-0720-10X-10R.pdf | |
![]() | P61-2000-S-A-I18-20MA-C | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - 1/4" (6.35mm) NPT 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P61-2000-S-A-I18-20MA-C.pdf |