창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZV85-C51,113 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZV85 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 51V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 125옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 36V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 1V @ 50mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-204AL | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 568-11028-2 933500820113 BZV85-C51 T/R BZV85-C51 T/R-ND BZV85-C51,113-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZV85-C51,113 | |
관련 링크 | BZV85-, BZV85-C51,113 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
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![]() | IMC1210BN4R7M | 4.7µH Unshielded Wirewound Inductor 224mA 1.5 Ohm Max 1210 (3225 Metric) | IMC1210BN4R7M.pdf | |
![]() | 23S120C | 12µH Shielded Wirewound Inductor 1.08A 107 mOhm Max Nonstandard | 23S120C.pdf | |
![]() | ERA-8AEB6190V | RES SMD 619 OHM 0.1% 1/4W 1206 | ERA-8AEB6190V.pdf | |
![]() | RV0603FR-0715KL | RES SMD 15K OHM 1% 1/10W 0603 | RV0603FR-0715KL.pdf | |
![]() | RT0805DRE078K25L | RES SMD 8.25K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRE078K25L.pdf | |
![]() | PRG3216P-3600-B-T5 | RES SMD 360 OHM 1W 1206 WIDE | PRG3216P-3600-B-T5.pdf | |
![]() | SX100GSMT | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Vented Gauge 0 mV ~ 150 mV (5V) 8-SMD Module | SX100GSMT.pdf |