창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX384B3V3-HE3-08 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX384 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.3V | |
허용 오차 | ±2% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 5µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-76, SOD-323 | |
공급 장치 패키지 | SOD-323 | |
표준 포장 | 3,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX384B3V3-HE3-08 | |
관련 링크 | BZX384B3, BZX384B3V3-HE3-08 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
B41042A7276M | 27µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 2000 Hrs @ 105°C | B41042A7276M.pdf | ||
CGA3EAC0G2A102J080AA | 1000pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CGA3EAC0G2A102J080AA.pdf | ||
TV30C430JB-G | TVS DIODE 43VWM 69.4VC SMC | TV30C430JB-G.pdf | ||
ABLSG-13.000MHZ-D2Y-T | 13MHz ±20ppm 수정 18pF 50옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US - 3리드(Lead) | ABLSG-13.000MHZ-D2Y-T.pdf | ||
FA-20H 26.0000MF10Y-K5 | 26MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -30°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-20H 26.0000MF10Y-K5.pdf | ||
SIT9003AC-23-33SD-33.30000T | OSC XO 3.3V 33.3MHZ ST 0.50% | SIT9003AC-23-33SD-33.30000T.pdf | ||
IRFS52N15DTRRP | MOSFET N-CH 150V 51A D2PAK | IRFS52N15DTRRP.pdf | ||
4564R-122J | 1.2mH Unshielded Inductor 150mA 9 Ohm Max Radial | 4564R-122J.pdf | ||
ESR18EZPF5901 | RES SMD 5.9K OHM 1% 1/3W 1206 | ESR18EZPF5901.pdf | ||
RL1218FK-070R8L | RES SMD 0.8 OHM 1W 1812 WIDE | RL1218FK-070R8L.pdf | ||
RG2012N-2370-W-T1 | RES SMD 237 OHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-2370-W-T1.pdf | ||
RG1005N-6650-W-T1 | RES SMD 665 OHM 0.05% 1/16W 0402 | RG1005N-6650-W-T1.pdf |