NXP Semiconductors BZX79-B47,113
- 제조업체 부품 번호
- BZX79-B47,113
- 제조업 자
- NXP Semiconductors
- 제품 카테고리
- 다이오드- 제너 - 단일
- 간단한 설명
- DIODE ZENER 47V 400MW ALF2
- Datesheet 다운로드
- 다운로드
BZX79-B47,113 가격 및 조달
가능 수량
1150 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 35.08880
- 우리의 가격
- Quote by Email
We are the stock Distributor of BZX79-B47,113, we specialize in all series NXP Semiconductors electronic components. BZX79-B47,113 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BZX79-B47,113, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
- BZX79-B47,113 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
BZX79-B47,113 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-BZX79-B47,113 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
| 지위 | New & Unused, Original Sealed | |
| 규격서 | BZX79 Series | |
| PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
| 제조업체 | NXP Semiconductors | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 전압 - 제너(공칭)(Vz) | 47V | |
| 허용 오차 | ±2% | |
| 전력 - 최대 | 400mW | |
| 임피던스(최대)(Zzt) | 170옴 | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 50nA @ 32.9V | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
| 작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
| 공급 장치 패키지 | ALF2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | 933167030113 BZX79-B47 T/R BZX79-B47 T/R-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | Email for details | |
| 대체 부품 (교체) | BZX79-B47,113 | |
| 관련 링크 | BZX79-, BZX79-B47,113 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor | |
BZX79-B47,113 의 관련 제품
 | MAL215656183E3 | 18000µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In - 3 Lead 41 mOhm @ 100Hz 5000 Hrs @ 85°C | MAL215656183E3.pdf | |
| VJ0805D3R6BXCAC | 3.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D3R6BXCAC.pdf | |
 | 02013J1R2ABSTR | 1.2pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) | 02013J1R2ABSTR.pdf | |
 | CX3225GB12000D0HEQZ1 | 12MHz ±20ppm 수정 8pF 150옴 -10°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | CX3225GB12000D0HEQZ1.pdf | |
| SIT8009BI-82-33E-133.330000Y | OSC XO 3.3V 133.33MHZ OE | SIT8009BI-82-33E-133.330000Y.pdf | |
 | FXO-HC536R-23.552 | 23.552MHz HCMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 35mA Enable/Disable | FXO-HC536R-23.552.pdf | |
 | SRU3017-330Y | 33µH Shielded Wirewound Inductor 470mA 430 mOhm Nonstandard | SRU3017-330Y.pdf | |
| SMM02070C1808FBP00 | RES SMD 1.8 OHM 1% 1W MELF | SMM02070C1808FBP00.pdf | |
 | RG3216N-4753-B-T5 | RES SMD 475K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216N-4753-B-T5.pdf | |
 | CRCW08052K26DHEAP | RES SMD 2.26K OHM 0.5% 1/8W 0805 | CRCW08052K26DHEAP.pdf | |
 | 4306R-102-751 | RES ARRAY 3 RES 750 OHM 6SIP | 4306R-102-751.pdf | |
| CMF6547K000JKRE | RES 47K OHM 1.5W 5% AXIAL | CMF6547K000JKRE.pdf |
