창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX79-C3V9,143 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX79 Series | |
PCN 기타 | SOD27,66,68,80 Package 29/Jul/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | NXP Semiconductors | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3.9V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 400mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 90옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 200°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AH, DO-35, 축 | |
공급 장치 패키지 | ALF2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | 568-5803-2 568-5803-2-ND 568-5803-3 933117690143 BZX79-C3V9,143-ND BZX79C3V9143 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX79-C3V9,143 | |
관련 링크 | BZX79-C, BZX79-C3V9,143 Datasheet, NXP Semiconductors Distributor |
CL21C010BBANNND | 1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CL21C010BBANNND.pdf | ||
VJ0805D101GXXAT | 100pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D101GXXAT.pdf | ||
MKP1841310204 | 10000pF Film Capacitor 700V 2000V (2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.024" L x 0.335" W (26.00mm x 8.50mm) | MKP1841310204.pdf | ||
FCN1913C224J | 0.22µF Film Capacitor 12V 16V Polyester, Polyethylene Naphthalate (PEN), Metallized - Stacked 1913 (4833 Metric) 0.189" L x 0.130" W (4.80mm x 3.30mm) | FCN1913C224J.pdf | ||
3KASMC14AHE3_A/H | TVS DIODE 14VWM 23.2VC DO214AB | 3KASMC14AHE3_A/H.pdf | ||
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AA1210FR-0724KL | RES SMD 24K OHM 1% 1/2W 1210 | AA1210FR-0724KL.pdf | ||
RNF14FTD511K | RES 511K OHM 1/4W 1% AXIAL | RNF14FTD511K.pdf | ||
MAX6635MSA+T | SENSOR TEMP I2C/SMBUS 8SOIC | MAX6635MSA+T.pdf |