창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C3V0-E3-18 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX84 Series | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 3V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 300mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 95옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 10µA @ 1V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3 | |
표준 포장 | 10,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX84C3V0-E3-18 | |
관련 링크 | BZX84C3, BZX84C3V0-E3-18 Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
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![]() | 416F26025ILT | 26MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26025ILT.pdf | |
![]() | SIT8008AIL7-18E | 1MHz ~ 110MHz HCMOS, LVCMOS MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 1.8V 3.9mA Enable/Disable | SIT8008AIL7-18E.pdf | |
![]() | 1N4148_T50A | DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35 | 1N4148_T50A.pdf | |
![]() | MLG0603P1N1CT000 | 1.1nH Unshielded Multilayer Inductor 1A 70 mOhm Max 0201 (0603 Metric) | MLG0603P1N1CT000.pdf | |
![]() | CJT1002R2JJ | RES CHAS MNT 2.2 OHM 5% 100W | CJT1002R2JJ.pdf | |
![]() | Y08500R06200J9W | RES SMD 0.062 OHM 1/2W 2516 WIDE | Y08500R06200J9W.pdf | |
![]() | CMF556R0000FKEK | RES 6 OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF556R0000FKEK.pdf | |
![]() | CMF559M7600FKEK | RES 9.76M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF559M7600FKEK.pdf | |
![]() | TA205PA560RJE | RES 560 OHM 5W 5% RADIAL | TA205PA560RJE.pdf | |
![]() | 93J200E | RES 200 OHM 3.25W 5% AXIAL | 93J200E.pdf |