창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C6V2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX84C 3V3 - BZX84C 33 Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing | |
PCN 설계/사양 | Mold Compound 12/Dec/2007 | |
PCN 조립/원산지 | SOT23 Manufacturing Source 31/May2013 Assembly Site Addition 20/Jul/2015 | |
PCN 포장 | Binary Year Code Marking 15/Jan/2014 | |
카탈로그 페이지 | 1607 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Fairchild Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 6.2V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 350mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 10옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 3µA @ 4V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -55°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
공급 장치 패키지 | SOT-23-3(TO-236) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C6V2FSTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX84C6V2 | |
관련 링크 | BZX8, BZX84C6V2 Datasheet, Fairchild Semiconductor Distributor |
EEF-UD0J151R | 150µF 6.3V Aluminum - Polymer Capacitors 2917 (7343 Metric) 18 mOhm 1000 Hrs @ 105°C | EEF-UD0J151R.pdf | ||
SR151C471JAA | 470pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR151C471JAA.pdf | ||
R60MN41005040K | 1µF Film Capacitor 200V 400V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized Radial 1.043" L x 0.335" W (26.50mm x 8.50mm) | R60MN41005040K.pdf | ||
MKP385256063JBM2B0 | 5600pF Film Capacitor 220V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.283" L x 0.138" W (7.20mm x 3.50mm) | MKP385256063JBM2B0.pdf | ||
402F54011CAT | 54MHz ±10ppm 수정 10pF 60옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F54011CAT.pdf | ||
416F40613CTT | 40.61MHz ±10ppm 수정 6pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F40613CTT.pdf | ||
UDZVTE-174.7B | DIODE ZENER 4.7V 200MW UMD2 | UDZVTE-174.7B.pdf | ||
BCR108SH6327XTSA1 | TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363 | BCR108SH6327XTSA1.pdf | ||
IXTT100N25P | MOSFET N-CH 250V 100A TO-268 | IXTT100N25P.pdf | ||
ISC1812ES680J | 68µH Shielded Wirewound Inductor 164mA 2.6 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | ISC1812ES680J.pdf | ||
RT0603WRD0742K2L | RES SMD 42.2K OHM 1/10W 0603 | RT0603WRD0742K2L.pdf | ||
MCT0603MD1021BP100 | RES SMD 1.02K OHM 0.1% 1/8W 0603 | MCT0603MD1021BP100.pdf |