창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX84C9V1S-7-F | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX84C2V4S - BZX84C39S | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Cert of Compliance | |
PCN 설계/사양 | Green Encapsulate Change 09/July/2007 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 1581 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드 - 제너 - 어레이 | |
제조업체 | Diodes Incorporated | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
구성 | 2 독립형 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±6% | |
전력 - 최대 | 200mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 15옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 500nA @ 6V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 900mV @ 10mA | |
작동 온도 | -65°C ~ 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | SOT-363 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | BZX84C9V1S-FDITR BZX84C9V1S7F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX84C9V1S-7-F | |
관련 링크 | BZX84C9, BZX84C9V1S-7-F Datasheet, Diodes Incorporated Distributor |
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![]() | CRGH2512F59K | RES SMD 59K OHM 1% 2W 2512 | CRGH2512F59K.pdf | |
![]() | RG1608V-2150-D-T5 | RES SMD 215 OHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608V-2150-D-T5.pdf | |
![]() | RM2012B-102/202-NWWP10 | RES ARRAY 2 RES MULT OHM 0805 | RM2012B-102/202-NWWP10.pdf | |
![]() | NKN2WSJR-73-0R1 | RES 0.1 OHM 2W 5% AXIAL | NKN2WSJR-73-0R1.pdf | |
![]() | P51-100-S-I-D-20MA-000-000 | Pressure Sensor 100 PSI (689.48 kPa) Sealed Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-100-S-I-D-20MA-000-000.pdf | |
![]() | P51-50-G-U-D-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 50 PSI (344.74 kPa) Vented Gauge Female - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-50-G-U-D-4.5OVP-000-000.pdf |