창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-BZX85C9V1-TAP | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | BZX85 Series | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Vishay Semiconductor Diodes Division | |
계열 | 자동차, AEC-Q101 | |
포장 | 테이프 및 박스(TB) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 9.1V | |
허용 오차 | ±5% | |
전력 - 최대 | 1.3W | |
임피던스(최대)(Zzt) | 5옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 1µA @ 6.8V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | -55°C ~ 175°C | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | DO-204AL, DO-41, 축 | |
공급 장치 패키지 | DO-41 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | BZX85C9V1-TAP | |
관련 링크 | BZX85C, BZX85C9V1-TAP Datasheet, Vishay BC Components Distributor |
445A3XD24M00000 | 24MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XD24M00000.pdf | ||
ASTMHTE-24.576MHZ-XR-E-T | 24.576MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-24.576MHZ-XR-E-T.pdf | ||
SIT8008AI-11-18E-25.000625D | OSC XO 1.8V 25.000625MHZ OE | SIT8008AI-11-18E-25.000625D.pdf | ||
APT75DQ100BG | DIODE GEN PURP 1KV 75A TO247 | APT75DQ100BG.pdf | ||
2EZ5.6DE3/TR12 | DIODE ZENER 5.6V 2W DO204AL | 2EZ5.6DE3/TR12.pdf | ||
AISC-1008F-1R8J-T | 1.8µH Unshielded Wirewound Inductor 600mA 840 mOhm Max 1008 (2520 Metric) | AISC-1008F-1R8J-T.pdf | ||
CRGH1206F19R1 | RES SMD 19.1 OHM 1% 1/2W 1206 | CRGH1206F19R1.pdf | ||
RT0805DRD071K5L | RES SMD 1.5K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RT0805DRD071K5L.pdf | ||
RT1206DRE0739RL | RES SMD 39 OHM 0.5% 1/4W 1206 | RT1206DRE0739RL.pdf | ||
4308M-102-222LF | RES ARRAY 4 RES 2.2K OHM 8SIP | 4308M-102-222LF.pdf | ||
CMF55150K00FHEB | RES 150K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF55150K00FHEB.pdf | ||
Y0734250R000D9L | RES 250 OHM 10W 0.5% RADIAL | Y0734250R000D9L.pdf |