창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C0402X7R0G221K020BC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C0402X7R0G221K020BC Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 220pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 4V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 01005(0402 미터법) | |
크기/치수 | 0.016" L x 0.008" W(0.40mm x 0.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.009"(0.22mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 20,000 | |
다른 이름 | 445-13557-2 C0402X7R0G221KT00NN | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C0402X7R0G221K020BC | |
관련 링크 | C0402X7R0, C0402X7R0G221K020BC Datasheet, TDK Corporation Distributor |
CC1206MKX5R5BB107 | 100µF 6.3V 세라믹 커패시터 X5R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | CC1206MKX5R5BB107.pdf | ||
GCM31A7U2J331JX01D | 330pF 630V 세라믹 커패시터 U2J 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | GCM31A7U2J331JX01D.pdf | ||
K122M15X7RF5TH5 | 1200pF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | K122M15X7RF5TH5.pdf | ||
GQM1555C2D9R9CB01D | 9.9pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D9R9CB01D.pdf | ||
GRM1886T1H510JD01D | 51pF 50V 세라믹 커패시터 T2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | GRM1886T1H510JD01D.pdf | ||
P4KE350 | TVS DIODE 300VWM 506.1VC AXIAL | P4KE350.pdf | ||
445C3XL30M00000 | 30MHz ±30ppm 수정 12pF 30옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XL30M00000.pdf | ||
SIT9003AI-1-33DO | 1MHz ~ 110MHz LVCMOS, LVTTL MEMS (Silicon) Programmable Oscillator Surface Mount 3.3V 4.1mA | SIT9003AI-1-33DO.pdf | ||
511R-2H | 160nH Unshielded Wirewound Inductor 2.37A 40 mOhm Max Axial | 511R-2H.pdf | ||
LTR50UZPJ303 | RES SMD 30K OHM 1W 2010 WIDE | LTR50UZPJ303.pdf | ||
RCWE0612R866FKEA | RES SMD 0.866 OHM 1% 1W 0612 | RCWE0612R866FKEA.pdf | ||
CRCW060310R0FKTC | RES SMD 10 OHM 1% 1/10W 0603 | CRCW060310R0FKTC.pdf |