창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1005JB1E334M050BB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | CH and JB Temperature Coefficient Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | JB | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-10969-2 C1005JB1E334MT000F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C1005JB1E334M050BB | |
관련 링크 | C1005JB1E, C1005JB1E334M050BB Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | 500D106M050BA2A | 10µF 50V Aluminum Capacitors Axial, Can 2000 Hrs @ 85°C | 500D106M050BA2A.pdf | |
![]() | CL10C161JB8NNNC | 160pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10C161JB8NNNC.pdf | |
![]() | 12065A131FAT2A | 130pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 12065A131FAT2A.pdf | |
![]() | M551B128M040AS | 1200µF Hermetically Sealed Tantalum - Polymer Capacitors 40V M55 Module 20 mOhm 2.051" L x 1.992" W (52.10mm x 50.60mm) | M551B128M040AS.pdf | |
![]() | TPSD157M010H0100 | 150µF Molded Tantalum Capacitors 10V 2917 (7343 Metric) 100 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | TPSD157M010H0100.pdf | |
![]() | HCM4928322000ABJT | 28.322MHz ±30ppm 수정 18pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | HCM4928322000ABJT.pdf | |
![]() | CPH6636R-TL-W | MOSFET 2N-CH 24V 6A CPH6 | CPH6636R-TL-W.pdf | |
![]() | AISM-1812-102K-T | 1mH Unshielded Wirewound Inductor 30mA 40 Ohm Max 1812 (4532 Metric) | AISM-1812-102K-T.pdf | |
![]() | 0402R-24NJ | 24nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 300 mOhm Max 2-SMD | 0402R-24NJ.pdf | |
![]() | PMR50HZPJU7L0 | RES SMD 0.007 OHM 5% 1W 2010 | PMR50HZPJU7L0.pdf | |
4608X-101-513LF | RES ARRAY 7 RES 51K OHM 8SIP | 4608X-101-513LF.pdf | ||
![]() | RNF12FTC4K02 | RES 4.02K OHM 1/2W 1% AXIAL | RNF12FTC4K02.pdf |