창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1005X7R1H221K050BA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C1005X7R1H221K050BA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2175 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 220pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.022"(0.55mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 10,000 | |
다른 이름 | 445-1254-2 C1005X7R1H221K C1005X7R1H221K-ND C1005X7R1H221KT C1005X7R1H221KT-ND C1005X7R1H221KT000F | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C1005X7R1H221K050BA | |
관련 링크 | C1005X7R1, C1005X7R1H221K050BA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | RDE5C2A4R0C0S1H03A | 4pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.197" L x 0.098" W(5.00mm x 2.50mm) | RDE5C2A4R0C0S1H03A.pdf | |
![]() | GQM1555C2D6R3WB01D | 6.3pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GQM1555C2D6R3WB01D.pdf | |
![]() | TH3A334M035C11R0 | 0.33µF Molded Tantalum Capacitors 35V 1206 (3216 Metric) 11 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TH3A334M035C11R0.pdf | |
![]() | ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T | 24MHz ±15ppm 수정 8pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | ABM10-24.000MHZ-8-7-A15-T.pdf | |
![]() | 416F26012IDT | 26MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F26012IDT.pdf | |
![]() | FK2500021 | 25MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 1.8V 4mA Enable/Disable | FK2500021.pdf | |
![]() | 1008R-152H | 1.5µH Unshielded Inductor 548mA 500 mOhm Max 2-SMD | 1008R-152H.pdf | |
![]() | 106-121G | 120nH Unshielded Inductor 710mA 200 mOhm Max 2-SMD | 106-121G.pdf | |
![]() | RW2S0CBR150JET | RES SMD 0.15 OHM 5% 2W J LEAD | RW2S0CBR150JET.pdf | |
![]() | SM4124FB4R87 | RES SMD 4.87 OHM 1% 2W 4124 | SM4124FB4R87.pdf | |
![]() | Y4078157R310V9L | RES 157.31OHM 0.3W 0.005% RADIAL | Y4078157R310V9L.pdf | |
![]() | PE42750MLAA-Z | RF Switch IC CATV SPDT 2.2GHz 75 Ohm 12-QFN (3x3) | PE42750MLAA-Z.pdf |