창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1608C0G2A102G080AA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | C Series, Mid Voltage Summary C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C Series, Mid Voltage Datasheet C1608C0G2A102G080AA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
설계 리소스 | 20 W Non-Isolated Buck LED Driver Using PL LNK460KG | |
주요제품 | C-Series Mid Voltage MLCCs | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2177 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1000pF | |
허용 오차 | ±2% | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.037"(0.95mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 445-5381-2 C1608C0G2A102G C1608C0G2A102GT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C1608C0G2A102G080AA | |
관련 링크 | C1608C0G2, C1608C0G2A102G080AA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
885012208065 | 1.5µF 25V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | 885012208065.pdf | ||
VJ1210A750JBRAT4X | 75pF 1500V(1.5kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1210(3225 미터법) 0.132" L x 0.098" W(3.35mm x 2.50mm) | VJ1210A750JBRAT4X.pdf | ||
C921U681KVYDAAWL40 | 680pF 400VAC 세라믹 커패시터 Y5P(B) 방사형, 디스크 0.354" Dia(9.00mm) | C921U681KVYDAAWL40.pdf | ||
TRJB105M050RRJ | 1µF Molded Tantalum Capacitors 50V 1210 (3528 Metric) 3.4 Ohm 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | TRJB105M050RRJ.pdf | ||
1.5KE10C-B | TVS DIODE 8.55VWM 15.23VC AXIAL | 1.5KE10C-B.pdf | ||
CM309E15360000ABNT | 15.36MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) | CM309E15360000ABNT.pdf | ||
VS-VSKD250-04PBF | DIODE GEN 400V 125A MAGNAPAK | VS-VSKD250-04PBF.pdf | ||
PSMN013-100ES,127 | MOSFET N-CH 100V I2PAK | PSMN013-100ES,127.pdf | ||
SCRH4D28-5R6 | 5.6µH Shielded Inductor 2.08A 100 mOhm Max Nonstandard | SCRH4D28-5R6.pdf | ||
PCF0402R-1K2BT1 | RES SMD 1.2K OHM 0.1% 1/16W 0402 | PCF0402R-1K2BT1.pdf | ||
RT0603CRD0741K2L | RES SMD 41.2K OHM 1/10W 0603 | RT0603CRD0741K2L.pdf | ||
MBA02040C2701FC100 | RES 2.7K OHM 0.4W 1% AXIAL | MBA02040C2701FC100.pdf |