창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C1632X5R1E474M115AC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | C Series, Low ESL Reverse Geometry C1632X5R1E474M115AC Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | SEAT, CCV, and TVCL Design Tools C Series Reverse Geometry Capacitor Family Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | C Series Reverse Geometry MLCCs | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.47µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 바이패스, 디커플링 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0612(1632 미터법) | |
크기/치수 | 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.051"(1.30mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL(역 기하구조) | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-14294-2 C1632X5R1E474MT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C1632X5R1E474M115AC | |
관련 링크 | C1632X5R1, C1632X5R1E474M115AC Datasheet, TDK Corporation Distributor |
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![]() | VJ2225A822KBBAT4X | 8200pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.226" L x 0.250" W(5.74mm x 6.35mm) | VJ2225A822KBBAT4X.pdf | |
![]() | F921D475MBA | 4.7µF Molded Tantalum Capacitors 20V 1210 (3528 Metric) 3 Ohm 0.134" L x 0.110" W (3.40mm x 2.80mm) | F921D475MBA.pdf | |
![]() | 416F32025CLR | 32MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32025CLR.pdf | |
![]() | ASTMHTE-10.000MHZ-AR-E | 10MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-10.000MHZ-AR-E.pdf | |
![]() | BYV29B-500,118 | DIODE GEN PURP 500V 9A D2PAK | BYV29B-500,118.pdf | |
![]() | 1N5351A/TR12 | DIODE ZENER 14V 5W T18 | 1N5351A/TR12.pdf | |
![]() | SDR0805-101KL | 100µH Unshielded Wirewound Inductor 720mA 450 mOhm Max Nonstandard | SDR0805-101KL.pdf | |
![]() | B82412A3120M | 12nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 100 mOhm Max 2-SMD | B82412A3120M.pdf | |
![]() | IMC1812EB2R7K | 2.7µH Unshielded Wirewound Inductor 370mA 750 mOhm Max 1812 (4532 Metric) | IMC1812EB2R7K.pdf | |
![]() | Y07856R92600B9L | RES 6.926 OHM 0.6W 0.1% RADIAL | Y07856R92600B9L.pdf | |
![]() | NCT218FCT2G | SENSOR TEMPERATURE I2C 8WLCSP | NCT218FCT2G.pdf |