창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012X5R1H225M085AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C2012X5R1H225M085AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2.2µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | X5R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 445-14408-2 C2012X5R1H225MT0J0N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C2012X5R1H225M085AB | |
관련 링크 | C2012X5R1, C2012X5R1H225M085AB Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | E81D201VND182MA63W | CAP ALUM 1800UF 200V RADIAL | E81D201VND182MA63W.pdf | |
![]() | C1608C0G1E392J080AA | 3900pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608C0G1E392J080AA.pdf | |
![]() | CL10B683KO8NFNC | 0.068µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | CL10B683KO8NFNC.pdf | |
![]() | 595D685X9004T2T | 6.8µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 4V 0805 (2012 Metric) 7.8 Ohm 0.087" L x 0.043" W (2.20mm x 1.10mm) | 595D685X9004T2T.pdf | |
![]() | 893D685X9050D2TE3 | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 50V 2917 (7343 Metric) 900 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | 893D685X9050D2TE3.pdf | |
![]() | TS500T23CDT | 50MHz ±20ppm 수정 18pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | TS500T23CDT.pdf | |
![]() | 445C35G12M00000 | 12MHz ±30ppm 수정 30pF 50옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C35G12M00000.pdf | |
![]() | S5DHE3_A/H | DIODE GEN PURP 200V 5A DO214AB | S5DHE3_A/H.pdf | |
![]() | RMCF1210FT30R1 | RES SMD 30.1 OHM 1% 1/2W 1210 | RMCF1210FT30R1.pdf | |
![]() | CMF202K4000JNEB | RES 2.4K OHM 1W 5% AXIAL | CMF202K4000JNEB.pdf | |
![]() | P51-2000-S-C-P-20MA-000-000 | Pressure Sensor 2000 PSI (13789.51 kPa) Sealed Gauge Male - M12 x 1.5 4 mA ~ 20 mA Cylinder | P51-2000-S-C-P-20MA-000-000.pdf | |
![]() | P51-200-G-AD-I36-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Vented Gauge Male - 7/16" (11.11mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-200-G-AD-I36-4.5OVP-000-000.pdf |