창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C2012X7R1E105K125AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C2012X7R1E105K125AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | High Capacitance Replacement C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
카탈로그 페이지 | 2181 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 1µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-1354-2 C2012X7R1E105K C2012X7R1E105K-ND C2012X7R1E105KT C2012X7R1E105KT-ND C2012X7R1E105KT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C2012X7R1E105K125AB | |
관련 링크 | C2012X7R1, C2012X7R1E105K125AB Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | VY2102M29Y5US6TV0 | 1000pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.295" Dia(7.50mm) | VY2102M29Y5US6TV0.pdf | |
![]() | BFC236841184 | 0.18µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.689" L x 0.217" W (17.50mm x 5.50mm) | BFC236841184.pdf | |
![]() | MKP385568085JYI2T0 | 6.8µF Film Capacitor 300V 850V Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.181" W (57.50mm x 30.00mm) | MKP385568085JYI2T0.pdf | |
![]() | T521W476M020ATE040 | 47µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 20V 2917 (7343 Metric) 40 mOhm 0.287" L x 0.169" W (7.30mm x 4.30mm) | T521W476M020ATE040.pdf | |
![]() | FA-238 16.0000MD-W3 | 16MHz ±30ppm 수정 12pF 80옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | FA-238 16.0000MD-W3.pdf | |
![]() | NRVBAF360T3G | DIODE SCHOTTKY 60V 4A SMA-FL | NRVBAF360T3G.pdf | |
![]() | SRU1048A-6R8Y | 6.8µH Shielded Wirewound Inductor 4.8A 18 mOhm Max Nonstandard | SRU1048A-6R8Y.pdf | |
![]() | 106-121F | 120nH Unshielded Inductor 710mA 200 mOhm Max 2-SMD | 106-121F.pdf | |
![]() | RG2012N-4423-D-T5 | RES SMD 442K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RG2012N-4423-D-T5.pdf | |
![]() | NKN7WSJR-91-0R18 | RES 0.18 OHM 7W 5% AXIAL | NKN7WSJR-91-0R18.pdf | |
![]() | CP0010R2200KE663 | RES 0.22 OHM 10W 10% AXIAL | CP0010R2200KE663.pdf | |
![]() | EZR32LG330F128R61G-B0 | IC RF TxRx + MCU 802.15.4 EZRadioPro 142MHz ~ 1.05GHz 64-VFQFN Exposed Pad | EZR32LG330F128R61G-B0.pdf |