창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216C0G1H822J060AA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216C0G1H822J060AA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 8200pF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 50V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.028"(0.70mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 445-7686-2 C3216C0G1H822J/0.60 C3216C0G1H822JT0H0N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C3216C0G1H822J060AA | |
관련 링크 | C3216C0G1, C3216C0G1H822J060AA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | 35YXH680MEFC12.5X20 | 680µF 35V Aluminum Capacitors Radial, Can 10000 Hrs @ 105°C | 35YXH680MEFC12.5X20.pdf | |
![]() | GRM155R72A332KA01J | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 X7R 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | GRM155R72A332KA01J.pdf | |
![]() | 04025A9R1BAT2A | 9.1pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | 04025A9R1BAT2A.pdf | |
![]() | VJ0603D470MLBAP | 47pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D470MLBAP.pdf | |
![]() | VJ0805D1R2BXCAC | 1.2pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D1R2BXCAC.pdf | |
![]() | 445C3XH16M00000 | 16MHz ±30ppm 수정 32pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445C3XH16M00000.pdf | |
![]() | SIT9001AC-83-33E1-33.00000Y | OSC XO 3.3V 33MHZ OE 1.0% | SIT9001AC-83-33E1-33.00000Y.pdf | |
![]() | TN0106N3-G-P003 | MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 | TN0106N3-G-P003.pdf | |
![]() | PA4334.563NLT | 56µH Shielded Wirewound Inductor 280mA 1.794 Ohm Max Nonstandard | PA4334.563NLT.pdf | |
![]() | RG2012P-4993-B-T5 | RES SMD 499K OHM 0.1% 1/8W 0805 | RG2012P-4993-B-T5.pdf | |
![]() | ERJ-1TNF4323U | RES SMD 432K OHM 1% 1W 2512 | ERJ-1TNF4323U.pdf | |
![]() | MCR10EZHF1372 | RES SMD 13.7K OHM 1% 1/8W 0805 | MCR10EZHF1372.pdf |