창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216JB1E336M160AC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216JB1E336M160AC Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 33µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 25V | |
온도 계수 | JB | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.069"(1.75mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-11710-2 C3216JB1E336MT000E | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C3216JB1E336M160AC | |
관련 링크 | C3216JB1E, C3216JB1E336M160AC Datasheet, TDK Corporation Distributor |
FA28X7R2A153KNU06 | 0.015µF 100V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA28X7R2A153KNU06.pdf | ||
C967U472MZWDCAWL40 | 4700pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.512" Dia(13.00mm) | C967U472MZWDCAWL40.pdf | ||
06125C124MAT2W | 0.12µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | 06125C124MAT2W.pdf | ||
VJ0805D270FLPAJ | 27pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D270FLPAJ.pdf | ||
BFC237666133 | 0.013µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC237666133.pdf | ||
1.5KE170AHE3/54 | TVS DIODE 145VWM 234VC 1.5KE | 1.5KE170AHE3/54.pdf | ||
416F24022IKR | 24MHz ±20ppm 수정 8pF 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24022IKR.pdf | ||
LP330F33CDT | 33MHz ±30ppm 수정 18pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP330F33CDT.pdf | ||
445W25J14M31818 | 14.31818MHz ±20ppm 수정 9pF 50옴 0°C ~ 50°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445W25J14M31818.pdf | ||
RC2012F3163CS | RES SMD 316K OHM 1% 1/8W 0805 | RC2012F3163CS.pdf | ||
Y16256K98000B0R | RES SMD 6.98K OHM 0.1% 0.3W 1206 | Y16256K98000B0R.pdf | ||
DP11VN15A25F | DP11 VER 15P NDET 25F M7*5MM | DP11VN15A25F.pdf |