창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216JB1V475M085AB | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216JB1V475M085AB Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | CH and JB Temperature Coefficient Capacitors | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 4.7µF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 35V | |
온도 계수 | JB | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -25°C ~ 85°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.039"(1.00mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | 445-11744-2 C3216JB1V475MT0J5N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C3216JB1V475M085AB | |
관련 링크 | C3216JB1V, C3216JB1V475M085AB Datasheet, TDK Corporation Distributor |
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B41896D6477M | 470µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 269 mOhm @ 120Hz 7000 Hrs @ 125°C | B41896D6477M.pdf | ||
![]() | B43231B1827M | 820µF 160V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 2000 Hrs @ 85°C | B43231B1827M.pdf | |
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![]() | TH3A225K025E5200 | 2.2µF Molded Tantalum Capacitors 25V 1206 (3216 Metric) 5.2 Ohm 0.126" L x 0.063" W (3.20mm x 1.60mm) | TH3A225K025E5200.pdf | |
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![]() | CRCW121893K1FKEK | RES SMD 93.1K OHM 1% 1W 1218 | CRCW121893K1FKEK.pdf | |
![]() | Y4485V0071QT9W | RES NETWORK 2 RES MULT OHM 1610 | Y4485V0071QT9W.pdf | |
![]() | CMF602K0000JNR6 | RES 2K OHM 1W 5% AXIAL | CMF602K0000JNR6.pdf | |
![]() | CMF656R1900FKR6 | RES 6.19 OHM 1.5W 1% AXIAL | CMF656R1900FKR6.pdf |