창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C3216X6S1C685K160AC | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | Multilayer Ceramic Chip Cap Range C Series, GeneralDatasheet C Series, Gen Appl & Mid-Voltage Spec C3216X6S1C685K160AC Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | C Series General Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 6.8µF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 16V | |
온도 계수 | X6S | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 105°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1206(3216 미터법) | |
크기/치수 | 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.071"(1.80mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 낮은 ESL | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 2,000 | |
다른 이름 | 445-14763-2 C3216X6S1C685KT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C3216X6S1C685K160AC | |
관련 링크 | C3216X6S1, C3216X6S1C685K160AC Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | AMK107BBJ226MAHT | 22µF 4V 세라믹 커패시터 X5R 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | AMK107BBJ226MAHT.pdf | |
![]() | MKT1817410256W | 0.1µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Metallized Radial 0.283" L x 0.236" W (7.20mm x 6.00mm) | MKT1817410256W.pdf | |
![]() | NOJF157M006RWJ | 150µF Niobium Oxide Capacitor 6.3V 2312 (6032 Metric) 400 mOhm ESR | NOJF157M006RWJ.pdf | |
![]() | 595D156X0016A2T | 15µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 1507 (3718 Metric) 2.4 Ohm 0.146" L x 0.071" W (3.70mm x 1.80mm) | 595D156X0016A2T.pdf | |
![]() | SMDJ22C | TVS DIODE 22VWM 37.28VC SMD | SMDJ22C.pdf | |
![]() | 416F38411ATR | 38.4MHz ±10ppm 수정 6pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F38411ATR.pdf | |
![]() | 416F48012CAR | 48MHz ±10ppm 수정 10pF 100옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48012CAR.pdf | |
![]() | 3N250-E4/51 | DIODE BRIDGE 1.5A 600V KBPM | 3N250-E4/51.pdf | |
![]() | RC0603JR-072K2L | RES SMD 2.2K OHM 5% 1/10W 0603 | RC0603JR-072K2L.pdf | |
RSMF12JT30R0 | RES MO 1/2W 30 OHM 5% AXIAL | RSMF12JT30R0.pdf | ||
![]() | CMF554K3200FKR670 | RES 4.32K OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF554K3200FKR670.pdf | |
![]() | 3001U01820001 | NON-HERMETIC THERMOSTAT | 3001U01820001.pdf |