창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-C4532X7R3D222M130KA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | C Series, High Voltage C Series, High Voltage Spec C4532X7R3D222M130KA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | SEAT, CCV, and TVCL Design Tools C Series High Voltage Capacitors Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | C | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2200pF | |
허용 오차 | ±20% | |
전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 범용 | |
등급 | - | |
패키지/케이스 | 1812(4532 미터법) | |
크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.059"(1.50mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 고전압 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 445-13445-2 C4532X7R3D222MT000N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | C4532X7R3D222M130KA | |
관련 링크 | C4532X7R3, C4532X7R3D222M130KA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | VJ0603D120MLCAP | 12pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D120MLCAP.pdf | |
![]() | CBR08C808AAGAC | 0.80pF 250V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CBR08C808AAGAC.pdf | |
![]() | C1825C185K5RACTU | 1.8µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1825(4564 미터법) 0.177" L x 0.252" W(4.50mm x 6.40mm) | C1825C185K5RACTU.pdf | |
![]() | GRM0336R1E9R4CD01D | 9.4pF 25V 세라믹 커패시터 R2H 0201(0603 미터법) 0.024" L x 0.012" W(0.60mm x 0.30mm) | GRM0336R1E9R4CD01D.pdf | |
T543B227K006AHW035D100 | 220µF Molded Tantalum - Polymer Capacitors 6.3V 1411 (3528 Metric) 35 mOhm @ 100kHz 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) | T543B227K006AHW035D100.pdf | ||
![]() | SMA6L7.5A | TVS DIODE 7.5VWM 12.9VC SMA6L | SMA6L7.5A.pdf | |
![]() | LP163F33IDT | 16.384MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | LP163F33IDT.pdf | |
![]() | 1N4054 | DIODE GEN PURP 800V 275A DO205AB | 1N4054.pdf | |
![]() | 2200LL-180-H-RC | 18µH Unshielded Toroidal Inductor 13.1A 7 mOhm Max Radial | 2200LL-180-H-RC.pdf | |
![]() | RG1608P-6041-B-T5 | RES SMD 6.04KOHM 0.1% 1/10W 0603 | RG1608P-6041-B-T5.pdf | |
![]() | MBB02070C3830FC100 | RES 383 OHM 0.6W 1% AXIAL | MBB02070C3830FC100.pdf | |
![]() | US5681KSE-AAA-000-RE | IC HALL EFFECT SW UNIPOL TSOT23 | US5681KSE-AAA-000-RE.pdf |