Cornell Dubilier Electronics (CDE) CD10ED620GO3F

CD10ED620GO3F
제조업체 부품 번호
CD10ED620GO3F
제조업 자
제품 카테고리
운모 및 PTFE 커패시터
간단한 설명
62pF Mica Capacitor 500V Radial 0.370" L x 0.189" W (9.40mm x 4.80mm)
Datesheet 다운로드
다운로드
CD10ED620GO3F 가격 및 조달

가능 수량

1150 조각

배송 오늘


창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 2,891.12000
우리의 가격
Quote by Email

수량

 

We are the stock Distributor of CD10ED620GO3F, we specialize in all series Cornell Dubilier Electronics (CDE) electronic components. CD10ED620GO3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CD10ED620GO3F, Please kindly submit an RFQ here or send us an email.
CD10ED620GO3F 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
CD10ED620GO3F 매개 변수
내부 부품 번호EIS-CD10ED620GO3F
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)In Production
지위New & Unused, Original Sealed
규격서Mica, Standard Dipped
종류커패시터
제품군운모 및 PTFE 커패시터
제조업체Cornell Dubilier Electronics (CDE)
계열CD10
포장벌크
정전 용량62pF
허용 오차±2%
전압 - 정격500V
유전체 소재운모
실장 유형스루홀
패키지/케이스방사
리드 간격0.142"(3.60mm)
작동 온도-55°C ~ 125°C
특징범용
크기/치수0.370" L x 0.189" W(9.40mm x 4.80mm)
높이 - 장착(최대)0.339"(8.60mm)
표준 포장 100
다른 이름CD10ED620G03F
무게0.001 KG
신청Email for details
대체 부품 (교체)CD10ED620GO3F
관련 링크CD10ED, CD10ED620GO3F Datasheet, Cornell Dubilier Electronics (CDE) Distributor
CD10ED620GO3F 의 관련 제품
47µF 35V Aluminum - Polymer Capacitors Radial, Can - SMD 60 mOhm 4000 Hrs @ 125°C EEH-ZC1V470P.pdf
470µF 315V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 3000 Hrs @ 105°C 381LX471M315A042.pdf
1.4pF 25V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) VJ0603D1R4BXXAC.pdf
6800pF 500V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) SR297C682KAA.pdf
8.3pF 50V 세라믹 커패시터 R2H 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) GRM1886R1H8R3DZ01D.pdf
0.056µF Film Capacitor 16V Polyphenylene Sulfide (PPS) 1210 (3225 Metric) 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.50mm) FCP1210C563G-G2.pdf
1pF Thin Film Capacitor 25V 0201 (0603 Metric) 0.024" L x 0.013" W (0.60mm x 0.33mm) 02013K1R0BBSTR.pdf
TVS DIODE 214VWM 344VC DO41 P4KE250CATR.pdf
4MHz ±50ppm 수정 20pF 150옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, J-리드(Lead) CM309E4000000BHKT.pdf
12µH Unshielded Wirewound Inductor 1.2A 160 mOhm Max Nonstandard SDR0503-120ML.pdf
RES 3.32K OHM 1/2W .5% AXIAL CMF553K3200DHEB.pdf
RES 18 OHM 0.6W 0.1% RADIAL Y078518R0000B9L.pdf