창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CDZVT2R36B | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CDZV36B | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 다이오드- 제너 - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
전압 - 제너(공칭)(Vz) | 36V | |
허용 오차 | - | |
전력 - 최대 | 100mW | |
임피던스(최대)(Zzt) | 300옴 | |
전류 - 역누설 @ Vr | 100nA @ 27V | |
전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | - | |
작동 온도 | 150°C | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 2-SMD, 평면 리드(Lead) | |
공급 장치 패키지 | VMN2M | |
표준 포장 | 8,000 | |
다른 이름 | CDZVT2R36BTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CDZVT2R36B | |
관련 링크 | CDZVT, CDZVT2R36B Datasheet, Rohm Semiconductor Distributor |
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KHD101E107M99C0B00 | 100µF 100V 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사 1.122" L x 0.295" W(28.50mm x 7.50mm) | KHD101E107M99C0B00.pdf | ||
![]() | C4ASPBW3680A3FJ | 0.68µF Film Capacitor 630V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial - 4 Leads 1.634" L x 0.787" W (41.50mm x 20.00mm) | C4ASPBW3680A3FJ.pdf | |
![]() | BFC237666113 | 0.011µF Film Capacitor 300V 630V Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.689" L x 0.236" W (17.50mm x 6.00mm) | BFC237666113.pdf | |
![]() | ASTMHTE-66.666MHZ-AR-E | 66.666MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTE-66.666MHZ-AR-E.pdf | |
![]() | 1N5626GP-E3/54 | DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD | 1N5626GP-E3/54.pdf | |
![]() | 1N4050R | DIODE GEN PURP 400V 275A DO205AB | 1N4050R.pdf | |
![]() | ESR25JZPJ753 | RES SMD 75K OHM 5% 1/2W 1210 | ESR25JZPJ753.pdf | |
![]() | RG2012N-1742-W-T1 | RES SMD 17.4KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012N-1742-W-T1.pdf | |
![]() | RNF14BTE845R | RES 845 OHM 1/4W .1% AXIAL | RNF14BTE845R.pdf | |
![]() | P51-300-S-J-I12-4.5OVP-000-000 | Pressure Sensor 300 PSI (2068.43 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 0.5 V ~ 4.5 V Cylinder | P51-300-S-J-I12-4.5OVP-000-000.pdf |