창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CGA8K1X7R3D222K130KE | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CGA Series, Automotive High Voltage CGA Series, Automotive High Voltage Spec Sheet | |
제품 교육 모듈 | CGA Series for Automotive Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools C Series Soft Termination Capacitor Family Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | CGA Series MLCC Capacitors | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | CGA | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 2200pF | |
허용 오차 | ±10% | |
전압 - 정격 | 2000V(2kV) | |
온도 계수 | X7R | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 자동차, Boardflex Sensitive | |
등급 | AEC-Q200 | |
패키지/케이스 | 1812(4532 미터법) | |
크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.057"(1.45mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | 소프트 종단 | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 445-13172-2 CGA8K1X7R3D222KT0Y0S | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CGA8K1X7R3D222K130KE | |
관련 링크 | CGA8K1X7R3, CGA8K1X7R3D222K130KE Datasheet, TDK Corporation Distributor |
![]() | LKG1J102MESYBK | 1000µF 63V Aluminum Capacitors Radial, Can - Snap-In 1000 Hrs @ 85°C | LKG1J102MESYBK.pdf | |
![]() | VJ0402D6R8DLBAP | 6.8pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D6R8DLBAP.pdf | |
![]() | B32652J1103K | 10000pF Film Capacitor 700V 1600V (1.6kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 0.709" L x 0.354" W (18.00mm x 9.00mm) | B32652J1103K.pdf | |
![]() | SMBJ85A-TP | TVS DIODE 85VWM 137VC SMB | SMBJ85A-TP.pdf | |
![]() | 445A3XS14M31818 | 14.31818MHz ±30ppm 수정 시리즈 50옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XS14M31818.pdf | |
![]() | 4P184F35CET | 18.432MHz ±30ppm 수정 20pF 40옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) HC49/US | 4P184F35CET.pdf | |
![]() | SIT8209AC-G2-33E-98.304000T | OSC XO 3.3V 98.304MHZ OE | SIT8209AC-G2-33E-98.304000T.pdf | |
![]() | BAS116LT1G | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | BAS116LT1G.pdf | |
![]() | 120TYT8-2 | FLTR 3-PHS 4-WR 2-STG TERM 120A | 120TYT8-2.pdf | |
![]() | RMCF0201FT215R | RES SMD 215 OHM 1% 1/20W 0201 | RMCF0201FT215R.pdf | |
![]() | RG1608P-4641-D-T5 | RES SMD 4.64KOHM 0.5% 1/10W 0603 | RG1608P-4641-D-T5.pdf | |
![]() | B5J18R | RES 18 OHM 5.25W 5% AXIAL | B5J18R.pdf |