창고: HONGKONG
Date Code: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-CGA8M2C0G2A473J200KA | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | In Production | |
지위 | New & Unused, Original Sealed | |
규격서 | CGA Series, Automotive Grade Mid-Volt Spec CGA Series, Automotive Mid Voltage Datasheet CGA8M2C0G2A473J200KA Character Sheet | |
제품 교육 모듈 | CGA Series for Automotive Applications SEAT, CCV, and TVCL Design Tools Guide to Replacing an Electrolytic Capacitor with an MLCC | |
비디오 파일 | High Capacitance Capacitor Measurement Tutorial | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Certificate-MLCC | |
주요제품 | CGA Series MLCC Capacitors | |
PCN 부품 번호 | MLCC Part Number Change 30/Nov/2012 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 커패시터 | |
제품군 | 세라믹 커패시터 | |
제조업체 | TDK Corporation | |
계열 | CGA | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
정전 용량 | 0.047µF | |
허용 오차 | ±5% | |
전압 - 정격 | 100V | |
온도 계수 | C0G, NP0 | |
실장 유형 | 표면실장, MLCC | |
작동 온도 | -55°C ~ 125°C | |
응용 제품 | 자동차 | |
등급 | AEC-Q200 | |
패키지/케이스 | 1812(4532 미터법) | |
크기/치수 | 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | |
높이 - 장착(최대) | - | |
두께(최대) | 0.079"(2.00mm) | |
리드 간격 | - | |
특징 | - | |
리드 유형 | - | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | 445-7893-2 CGA8M2C0G2A473J CGA8M2C0G2A473JT0Y0N | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | Email for details | |
대체 부품 (교체) | CGA8M2C0G2A473J200KA | |
관련 링크 | CGA8M2C0G2, CGA8M2C0G2A473J200KA Datasheet, TDK Corporation Distributor |
C0805C180J5GACTU | 18pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | C0805C180J5GACTU.pdf | ||
08051A180GAT2A | 18pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.01mm x 1.25mm) | 08051A180GAT2A.pdf | ||
PSMN011-30YLC,115 | MOSFET N-CH 30V 37A LFPAK | PSMN011-30YLC,115.pdf | ||
SD3114-3R3-R | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 950mA 167 mOhm Nonstandard | SD3114-3R3-R.pdf | ||
4302-222F | 2.2µH Unshielded Inductor 345mA 1.25 Ohm Max 2-SMD | 4302-222F.pdf | ||
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H810RFZA | RES 10.0 OHM 1/4W 1% AXIAL | H810RFZA.pdf | ||
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MAX6514UKP015+T | IC TEMP SWITCH SOT23-5 | MAX6514UKP015+T.pdf |